YJH03N10A Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 10 szt.
Producent = ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR; Montaż = SMD; Obudowa = SO8; Napięcie dren-źródło = 60V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 13A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 6,5m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 2W; Polaryzacja = unipolarny; Cena jednostkowa = Nie; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Ładunek bramki = 15nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Rodzaj kanału = wzbogacany
