IHW40N120R5XKSA1 Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor; Napięcie kolektor-emiter = 1,2kV; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 40A; Prąd kolektora w impulsie = 120A; Czas wyłączania = 440ns; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 197W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = reverse conducting IGBT (RC-IGBT); Ładunek bramki = 310nC; Technologia = TRENCHSTOP™ RC
