P4F60HP2-5600 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = SHINDENGEN; Montaż = THT; Obudowa = FTO-220AG (SC91); Napięcie dren-źródło = 600V; Prąd drenu = 4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,8?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 62,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = luzem; Ładunek bramki = 12,5nC; Technologia = Hi-PotMOS2; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu w impulsie = 16A
