SQ1470AEH-T1_GE3 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SC70, SOT363; Napięcie dren-źródło = 30V; Prąd drenu = 1,7A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,115?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 3,3W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 5,2nC; Technologia = TrenchFET; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12V; Prąd drenu w impulsie = 6,7A
