ZXMHC10A07N8TC Tranzystor N/P-MOSFET x2
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = DIODES INCORPORATED; Montaż = SMD; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Polaryzacja = unipolarny; Obudowa = SO8; Typ tranzystora = N/P-MOSFET x2; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Napięcie dren-źródło = 100/-100V; Struktura półprzewodnika = wspólne źródło; Prąd drenu = 0,9/-0,7A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,9/1,45?; Moc rozpraszana = 0,87W; Właściwości elementów półprzewodnikowych = MOSFET H-Bridge
