YJS2022A Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = YANGJIE TECHNOLOGY; Montaż = SMD; Obudowa = SOP8; Napięcie dren-źródło = 20V; Napięcie bramka-źródło = ±10V; Prąd drenu = -10,4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 26m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 3W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 72,8nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Technologia = TRENCH POWER MV; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = -55A
