FGH40N60SFDTU Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Napięcie kolektor-emiter = 600V; Prąd kolektora = 40A; Typ tranzystora = IGBT; Prąd kolektora w impulsie = 120A; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 120nC; Obudowa = TO247-3; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Moc rozpraszana = 116W; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode
