STGF10NB60SD Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO220FP; Napięcie kolektor-emiter = 600V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 23A; Prąd kolektora w impulsie = 80A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 25W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 33nC
