STGW80H65DFB Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 80A; Prąd kolektora w impulsie = 300A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 470W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 414nC
