STW18NM60N Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247; Napięcie dren-źródło = 600V; Prąd drenu = 8,19A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,25?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 130W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 34nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±25V; Prąd drenu w impulsie = 52A
