NDS332P Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SuperSOT-3; Napięcie dren-źródło = -20V; Prąd drenu = -1A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,74?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = logic level; Ładunek bramki = 5nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V
