SI1013CX-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SC89; Napięcie dren-źródło = -20V; Prąd drenu = -0,45A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,5?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,19W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 2,5nC; Technologia = TrenchFET; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu w impulsie = -1,5A
