DIW030F135 Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = DIOTEC SEMICONDUCTOR; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 1,35kV; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 30A; Prąd kolektora w impulsie = 120A; Czas załączania = 45ns; Czas wyłączania = 385ns; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 350W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 4,5µC
