STGW75H65DFB2-4 Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247-4; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±30V; Prąd kolektora = 71A; Prąd kolektora w impulsie = 225A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 357W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wyprowadzenie Kelvina, integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 207nC
