FDN340P Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SuperSOT-3; Napięcie dren-źródło = -20V; Prąd drenu = -2A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,11?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 10nC; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu w impulsie = -10A
