bez marki
IXFN26N100P Moduł MOSFET 1kV 23A SOT-227B przykręcany
666,94 zł
Darmowa dostawa
erli.pl Zobacz w sklepie Opis
Producent = IXYS; Obudowa = SOT227B; Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor; Czas gotowości = 300ns; Napięcie dren-źródło = 1kV; Prąd drenu = 23A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 390m?; Moc rozpraszana = 595W; Polaryzacja = unipolarny; Montaż elektryczny = przykręcany; Montaż mechaniczny = przykręcany; Ładunek bramki = 197nC; Technologia = HiPerFET™, Polar™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±40V; Prąd drenu w impulsie = 65A; Typ modułu półprzewodnikowego = tranzystorowy MOSFET