IRFZ34NPBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 55V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 26A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 40m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 56W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 22,7nC; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany
