IRF4905PBF Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = -55V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = -74A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 20m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 200W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 120nC; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany
