GT40QR21(STA1,E,D Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = TOSHIBA; Montaż = THT; Napięcie kolektor-emiter = 1,2kV; Obudowa = TO3PN; Typ tranzystora = IGBT; Prąd kolektora w impulsie = 80A; Czas załączania = 300ns; Rodzaj opakowania = tuba; Prąd kolektora = 35A; Napięcie bramka - emiter = ±25V; Moc rozpraszana = 230W; Czas wyłączania = 600ns; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode
