SUD19P06-60-GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = DPAK; Polaryzacja = unipolarny; Typ tranzystora = P-MOSFET; Rezystancja w stanie przewodzenia = 60m?; Moc rozpraszana = 2,3W; Ładunek bramki = 26nC; Napięcie dren-źródło = -60V; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = -8,19A
