IHW15N120E1XKSA1 Tranzystor IGBT
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor; Napięcie kolektor-emiter = 1,2kV; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 15A; Prąd kolektora w impulsie = 45A; Czas załączania = 1940ns; Czas wyłączania = 1450ns; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 62,2W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = reverse conducting IGBT (RC-IGBT); Ładunek bramki = 90nC; Technologia = TRENCHSTOP™ RC
