WMJ4N150D1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = WAYON; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie dren-źródło = 1,5kV; Prąd drenu = 4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5,4?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 41nC; Technologia = WMOS™ D1; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu w impulsie = 16A
