STD5NM60-1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 3,1A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1?; Rodzaj opakowania = tuba; Obudowa = IPAK; Ładunek bramki = 18nC; Napięcie dren-źródło = 650V; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Technologia = MDmesh™; Moc rozpraszana = 96W; Prąd drenu w impulsie = 20A
