SIA469DJ-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Napięcie dren-źródło = -30V; Prąd drenu = -12A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 40m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 15,6W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 32nC; Technologia = ; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = -40A
