IRFP2907PBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO247AC; Napięcie dren-źródło = 75V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 209A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 4,5m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 330W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 410nC; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany
