NDT3055 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SOT223; Napięcie dren-źródło = 60V; Prąd drenu = 4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,1?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 3W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 9nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 25A
