IXTH96N25T Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Czas gotowości = 158ns; Napięcie dren-źródło = 250V; Prąd drenu = 96A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 29m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 625W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = thrench gate power mosfet; Ładunek bramki = 114nC; Rodzaj kanału = wzbogacany
