STGW20NC60VD Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 600V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 30A; Prąd kolektora w impulsie = 150A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 200W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 140nC
