YJD80G06A Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 3 szt.
Producent = YANGJIE TECHNOLOGY; Montaż = SMD; Obudowa = TO252; Napięcie dren-źródło = 60V; Prąd drenu = 56A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 11m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 42,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 31nC; Technologia = SPLIT GATE TRENCH; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 240A
