STP12NM50FP Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO220FP; Napięcie dren-źródło = 550V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 7,5A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 350m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 35W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Technologia = MDmesh™; Rodzaj kanału = wzbogacany
