G3R40MT12D Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = GeneSiC SEMICONDUCTOR; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie dren-źródło = 1,2kV; Prąd drenu = 50A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 40m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 333W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 106nC; Technologia = SiC, G3R™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = -5...15V; Prąd drenu w impulsie = 140A
