FQP27P06 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = -60V; Napięcie bramka-źródło = ±25V; Prąd drenu = -27A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 70m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 43nC; Technologia = QFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany
