AOTF5B65M1 Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR; Montaż = THT; Obudowa = TO220F; Prąd kolektora = 5A; Typ tranzystora = IGBT; Rodzaj opakowania = tuba; Moc rozpraszana = 10W; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Ładunek bramki = 14nC; Czas załączania = 21ns; Napięcie bramka - emiter = ±30V; Prąd kolektora w impulsie = 15A; Czas wyłączania = 157ns; Napięcie nasycenia kol.-emit. = 1,87V; Energia załączenia = 0,09mJ; Energia wyłączenia = 0,12mJ
