IXTP50N25T Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Czas gotowości = 166ns; Napięcie dren-źródło = 250V; Prąd drenu = 50A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 60m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 400W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = thrench gate power mosfet; Ładunek bramki = 78nC; Rodzaj kanału = wzbogacany
