STGW40H65DFB Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±30V; Prąd kolektora = 40A; Prąd kolektora w impulsie = 160A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 283W; Rodzaj opakowania = tuba; Cena jednostkowa = Nie; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 0,21µC
