FQB22P10TM Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = D2PAK; Napięcie dren-źródło = -100V; Prąd drenu = -15,6A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,125?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 50nC; Technologia = QFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V
