FDT1600N10ALZ Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SOT223; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 3,5A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,16?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 10,42W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
