FQB5N90TM Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = D2PAK; Napięcie dren-źródło = 900V; Prąd drenu = 3,42A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 2,3?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 158W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 40nC; Technologia = QFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V
