TK8A50D(STA4,Q,M) Tranzystor N-MOSFET
Opis
Producent = TOSHIBAPolaryzacja = unipolarnyRodzaj kanału = wzbogacanyMontaż = THTObudowa = TO220FPTyp tranzystora = N-MOSFETNapięcie dren-źródło = 500VPrąd drenu = 8APrąd drenu w impulsie = 32ARezystancja w stanie przewodzenia = 850m?
Moc rozpraszana = 40WNapięcie bramka-źródło = ±30V
