FDA59N30 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO3PN; Napięcie dren-źródło = 300V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 35A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 56m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 500W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 100nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 236A
