R6030JNZ4C13 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ROHM SEMICONDUCTOR; Montaż = THT; Obudowa = TO247; Napięcie dren-źródło = 600V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 30A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 143m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 370W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 74nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 90A
