IRF1010EPBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 60V; Rezystancja w stanie przewodzenia = 12m?; Rodzaj opakowania = tuba; Prąd drenu = 81A; Ładunek bramki = 86,6nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Technologia = HEXFET®; Moc rozpraszana = 170W
