STB11N65M5 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics; Montaż = SMD; Obudowa = D2PAK; Napięcie dren-źródło = 650V; Prąd drenu = 5,6A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,48?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 85W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 17nC; Technologia = MDmesh™ M5; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±25V; Prąd drenu w impulsie = 36A
