Inna
IXTP2R4N120P Tranzystor N-MOSFET x1szt
96,36 zł
Darmowa dostawa
erli.pl Zobacz w sklepie Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Czas gotowości = 920ns; Napięcie dren-źródło = 1,2kV; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 2,4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 7,5?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = standard power mosfet; Ładunek bramki = 37nC; Technologia = Polar™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 6A