IPD60R650CEAUMA1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Obudowa = PG-TO252-3; Napięcie dren-źródło = 600V; Prąd drenu = 6,2A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,65?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 82W; Polaryzacja = unipolarny; Ładunek bramki = 20,5nC; Technologia = CoolMOS™ CE; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 19A
