SQ2308CES-T1_GE3 Tranzystor N-MOSFET (1szt.)
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = 60V; Prąd drenu = 2A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,325?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 2W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 3,5nC; Technologia = TrenchFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 9A
