IKP20N65H5XKSA1 Tranzystor IGBT (x1szt)
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220-3; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 20A; Prąd kolektora w impulsie = 60A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 125W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 48nC; Seria producenta = H5
