SI1062X-T1-GE3 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SC89, SOT563; Napięcie dren-źródło = 20V; Prąd drenu = 0,53A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 762m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,22W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 2,7nC; Technologia = TrenchFET; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu w impulsie = 2A
