DG75X12T2 Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.; Montaż = THT; Obudowa = TO247PLUS; Napięcie kolektor-emiter = 1200V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 75A; Prąd kolektora w impulsie = 225A; Czas załączania = 163ns; Czas wyłączania = 559ns; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 852W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 0,49µC
