BSS123 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 25 szt.
Producent = YANGJIE TECHNOLOGY; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 0,16A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5,5?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,35W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 2,5nC; Technologia = TRENCH POWER MV; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 0,8A
